製品情報アスペクト比80のSi深掘り

ボッシュプロセスによるパターン幅80 nm 深さ6340 nm の高アスペクト比Si深掘り加工。レジストマスクとの選択比を十分に取り、形状を制御しつつ、高アスペクト比の深掘りを実現しています。